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Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre
Gate defects analysis in AlGaN/GaN devices by mean of accurate extraction of the Schottky Barrier Height, electrical modelling, T-CAD simulations and TEM imaging
BSO - Titre
Gate defects analysis in AlGaN/GaN devices by mean of accurate extraction of the Schottky Barrier Height, electrical modelling, T-CAD simulations and TEM imaging
DOI
DOAI
Identifiant WoS
WOS:000414817500062
Accès ouvert
OA - Non
Source - Accès ouvert
OA - Non
Type d'accès
Non OA
Editeur

Elsevier

Source

MICROELECTRONICS RELIABILITY

ISSN
0026-2714
Type de document
  • Article
Notoriété
2 - Acceptable
CNRS
Oui
CNRS - Institut
  • INS2I - Institut des sciences de l'information et de leurs interactions
  • INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
uid:/9NF367H3
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